суботу, 17 березня 2012 р.

Хижняк В.Г. Титанохромування твердого сплаву ВК8 за умов зниженого тиску в середовищі хлору / В.Г. Хижняк, А.І. Дегула, Т.В. Лоскутова // Металознавство та обробка металів. –Київ.-2008.- №4. -С. 36-40.



Титанохромування твердого сплаву ВК8 за умов зниженого тиску в середовищі хлору 
В.Г. Хижняк, доктор технічних наук, професор
А.І. Дегула
Т.В. Лоскутова, кандидат технічних наук
Національний технічний університет України «КПІ», Київ 

Досліджено будову та зносостійкість захисних покриттів за участю титану та хрому на твердому сплаві ВК8. Встановлено, що зносостійкість в умовах тертя ковзання без змащування, після нанесення покриттів, зростає в 6 – 8 разів. Визначено товщину отриманих шарів їх фазовий склад та мікротвердість. Показано можливість отримання комплексних гетерогенних покриттів на твердих сплавах.

    Тверді сплави із захисними покриттями були запропоновані для підвищення терміну експлуатації виробів [1 3]. Використання покритих інструментів при значно більших за відомі швидкостях різання та подачах приводить до економії інструменту, а також супроводжується зростанням продуктивності праці [1 3].
      Результати досліджень причин позитивного впливу тонких покриттів на роботоздатність інструменту наведені в багатьох роботах [1 5]. Одна з основних причин, це висока твердість, яка для поширених покриттів на основі карбідів, нітридів титану може досягати 30,0 40,0 ГПа. Крім того, покриття виконують роль бар'єра який в процесі експлуатації зменшує взаємодію інструменту з матеріалом виробу. Відомі позитивні результати стосуються одно або багатошарових покриттів. Властивості таких покриттів вздовж поверхні залишаються незмінними внаслідок гомогенності окремих шарів. Перспективність багатошарових покриттів на твердих сплавах підтверджена експериментально. За результатами випробувань фірми «Seco» найбільшу зносостійкість показали тверді сплави з покриттям отриманим хімічним осадженням – Ti(C,N), Al2O3, TiN, а найбільшу міцність - з покриттями отриманими фізичним осадженням -  (Ti,Al)N, TiN [4].